DDC123JU-7-F

¥1.61

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 80 @ 10mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 200mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

UMD3NTR

¥2.09

系列 : - 制造商 : Rohm Semiconductor 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 10 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 30 @ 5mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 150mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : UMT6 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DMC261040R

¥1.49

系列 : - 制造商 : Panasonic Electronic Components 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 80 @ 5mA,10V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 250mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : - 功率 - 最大值 : 300mW 封装/外壳 : SC-74A,SOT-753 供应商器件封装 : 迷你型5-G3-B 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DMC261010R

¥1.49

系列 : - 制造商 : Panasonic Electronic Components 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 10 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 35 @ 5mA,10V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 250mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : - 功率 - 最大值 : 300mW 封装/外壳 : SC-74A,SOT-753 供应商器件封装 : 迷你型5-G3-B 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DMC564040R

¥2.05

系列 : - 制造商 : Panasonic Electronic Components 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 80 @ 5mA,10V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 250mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : - 功率 - 最大值 : 150mW 封装/外壳 : 6-SMD,扁平引线 供应商器件封装 : SMini6-F3-B 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DMG264120R

¥2.67

系列 : - 制造商 : Panasonic Electronic Components 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 500mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 4.7 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 50 @ 100mA,10V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 250mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 1µA 频率 - 跃迁 : - 功率 - 最大值 : 300mW 封装/外壳 : SOT-23-6 供应商器件封装 : 迷你型6-G4-B 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MUN5335DW1T1G

¥0.73

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 2.2 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 80 @ 5mA,10V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : - 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SC-88/SC70-6/SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MUN5216DW1T1G

¥0.79

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : - 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 160 @ 5mA,10V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : - 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SC-88/SC70-6/SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

MUN5314DW1T1G

¥0.71

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 80 @ 5mA,10V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 250mV @ 300µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : - 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SC-88/SC70-6/SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

NSB1706DMW5T1G

¥0.77

系列 : - 制造商 : ON Semiconductor 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 4.7 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 80 @ 5mA,10V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 250mV @ 1mA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : - 功率 - 最大值 : 250mW 封装/外壳 : 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 供应商器件封装 : SC-88A(SC-70-5/SOT-353) 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

DCX114YU-7-F

¥1.09

系列 : - 制造商 : Diodes Incorporated 晶体管类型 : 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : 47 千欧 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 68 @ 10mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 300mV @ 250µA,5mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 500nA 频率 - 跃迁 : 250MHz 功率 - 最大值 : 200mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : SOT-363 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售

PUMH4,115

¥1.43

系列 : - 制造商 : Nexperia USA Inc. 晶体管类型 : 2 个 NPN 预偏压式(双) 电流 - 集电极(Ic)(最大值) : 100mA 电压 - 集射极击穿(最大值) : 50V 电阻器 - 基底(R1) : 10 千欧 电阻器 - 发射极基底(R2) : - 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) : 200 @ 1mA,5V 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) : 150mV @ 500µA,10mA 电流 - 集电极截止(最大值) : 1µA 频率 - 跃迁 : - 功率 - 最大值 : 300mW 封装/外壳 : 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商器件封装 : 6-TSSOP 包装 : 标准卷带 零件状态 : 在售